7200F的电子光学系统应用了日本电子旗舰机7800F Prime采用的浸没式肖特基电子枪技术，标配了TTLS系统，因此无论是在高/低加速电压下，空间分辨率都比传统机型有了很大的提升。
特点
7200F的主要特点有：应用了浸没式肖特基电子枪技术的电子光学系统；利用GB和各种检测器在低加速电压下能进行高分辨观察和选择信号的TTLS系统；电磁场叠加的混合式物镜。
浸没式肖特基电子枪
浸没式肖特基场发射电子枪为日本电子的专利技术，通过对电子枪和低像差聚光镜进行优化，能有效利用从电子枪中发射的电子，即使电子束流很大也能获得很细的束斑。因而可以实现高通量分析（EDS、WDS面分析、EBSD分析等）。
TTLS（through-the-lens系统）
TTLS（through-the-lens系统）是利用GB(Gentle Beam 模式）在低加速电压下能进行高分辨率观察和信号选择的系统。 利用GB（Gentle Beam 模式）通过给样品加以偏压，对入射电子有减速、对样品中发射出的电子有加速作用，即使在低加速电压（入射电压）下，也能获得信噪比良好的高分辨率图像。此外，利用安装在TTLS的能量过滤器过滤电压，可以调节二次电子的检测量。这样在极低加速电压的条件下，用高位检测器（UED）就可以只获取来自样品浅表面的大角度背散射电子。因过滤电压用UED没有检测出的低能量电子，可以用高位二次电子检测器（USD，选配件）检测出来，因此7200F能同时获取二次电子像和背散射电子像。
混合式物镜（电磁场叠加）
7200F的物镜采用了本公司新开发的混合式透镜。
这种混合式透镜是组合了磁透镜和静电透镜的电磁场叠加型物镜，比传统的out-lens像差小，能获得更高的空间分辨率。7200F仍然保持了out-lens的易用性，所以可以观察和分析磁性材料样品。
应用实例
◇利用混合式物镜、GB（Gentle Beam 模式）进行观察的实例
利用低像差的混合式物镜和GB 模式，即使对不导电样品也能在极低的加速电压下进行高分辨率成像。
样品: 介孔二氧化硅 （中国上海交通大学车顺爱教授）
◇ 使用高位检测器（ＵＥＤ）、能量过滤器进行观察的实例
下图是利用UED在低加速电压条件下获得的背散射电子像。由于是大角度散射电子成像，成份信息非常丰富，但加速电压为0.8kV比在5kV时的测试，能获得更细微的浅表面信息。象这样在极低加速电压下要获取样品浅表面的背散射电子成份像，不仅需要高位检测器，还需要用来去除二次电子的能量过滤器。
样品：镀金表面, 能量过滤器： -250 V
技术参数：
| 7200F | 7200FLV |
分辨率 | 1.0 nm(20kV)，1.6 nm(1kV) | 1.0 nm(20kV)，1.6 nm(1kV)，1.8nm (30kV, LV ) |
放大倍率 | ×10～×1,000,000(120mm x 90mm photograph size); ×30～×3,000,000(1280 x 960pixels display); |
加速电压 | 0.01kV～30kV |
束流 | 1pA～300nA |
自动光阑角最佳控制透镜ACL | 内置 |
大景深模式 | 内置 |
检测器 | 高位检测器(UED)、低位检测器(LED) |
样品台 | 5轴马达驱动样品台 |
样品移动范围 | X：70mm Y：50mm Z：2mm～41mm 倾斜－5～＋70° 旋转360° |
低真空范围 | - | 10pa～300pa |
主要选配件
可插拔式背散射电子探头（RBED）
高位二次电子探头（USD）
低真空二次电子探头（LV-SED）
能谱仪（EDS)
波谱仪（WDS）
电子背散射衍射系统（EBSD)
阴极荧光系统（CLD）
样品台导航系统（SNS）
电子束曝光系统
